Для обеспечения ШИМ выбираем IGBT транзистор SKM75GB063D фирмы Semicon. Данный IGBT имеет следующие отличительные особенности:
N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)
Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью
Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером
Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
Исключено защелкивание
Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
В таблице 3.5.1 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора
Таблица 3.5.1. Рабочие характеристики SKM75GB063D
| Обозначение | Наименование | Условия снятия характеристики | мин. | ном. | макс. | Единица измерения | |
| IGBT-транзистор | |||||||
| VGE(th) | пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE = VCE, IC = 1 мА | 4,5 | 5,5 | 6,5 | В | |
| ICES | коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером | VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C | 0,1 | 0,3 | мА | ||
| VCE(TO) | постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер | Tj = 25 (125) °C | 1,05 (1) | В | |||
| rCE | дифференциальное сопротивление открытого канала | VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C | 14 (18,7) | мОм | |||
| VCE(sat) | напряжение коллектор-эмиттер насыщения | ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла | 2,1 (2,4) | 2,5 (2,8) | В | ||
| Cies | входная емкость | при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц | 4,2 | нФ | |||
| Coes | выходная емкость | 0,5 | нФ | ||||
| Cres | обратная переходная емкость | 0,3 | нФ | ||||
| LCE | паразитная индуктивность коллектора-эмиттера | 30 | нГн | ||||
| RCC'+EE' | суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера | температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C | 0,75 (1) | мОм | |||
| td(on) | длительность задержки включения | VCC = 300 В, ICnom = 75 A | 60 | нс | |||
| tr | время нарастания | RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C | 50 | нс | |||
| td(off) | длительность задержки выключения | VGE = ± 15В | 350 | нс | |||
| tf | время спада | 35 | нс | ||||
| Eon (Eoff) | рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) | 3 (2,5) | мДж | ||||
Цифровые синтезаторы частоты Радиопередающие устройства (РПдУ) применяются в сферах телекоммуникации, телевизионного и радиовещания, радиолокации, радионавигации. Стремительное развитие микроэлектрон ...
Строительство телефонной канализации на ГТС малой емкости строительство В условиях современных благоустроенных городов развитие телефонных сетей производится главным образом путем внедрения подземных линейных сооружений и новых ...
Проектирование устройства преобразования и воспроизведения музыкальных звуков Для определения необходимой архитектуры разрабатываемого программно-аппаратного средства, необходимо проанализировать цель и особенности его применения. Основной целью применения разраба ...