Усиление модулированных несущих колебаний в приемнике осуществляется усилителями преселекторов (УП), т.е. на частоте принимаемого сигнала. В состав усилительного каскада входят: усилительный прибор, избирательная цепь (не обязательно), цепи связи. В качестве усилительного прибора могут использоваться биполярные и полевые транзисторы, электронные лампы, туннельные диоды. Интегральные схемы, параметрические и квантовомеханические приборы и т.д.
Для получения большого коэффициента усиления используются многокаскадные усилители. Усилители могут быть резонансные и апериодические. Однако следует иметь в виду, что апериодические усилители имеют относительно малый коэффициент усиления по сравнению с резонансными. Резонансные усилители делятся на две группы: усилители с постоянной настройкой и усилители с переменной настройкой.
В зависимости от числа контуров в составе избирательной цепи усилителя различают одноконтурные, двухконтурные и многоконтурные усилители. Реализуемая добротность контура ограниченна, поэтому получить полосы меньше, чем определяемые конструктивной добротностью, невозможно. Для построения широкополосных (не перестраиваемых) усилителей могут использоваться многокаскадные усилители с расстроенными контурами. В усилителях преселекторов применяют в основном два варианта включения биполярного транзистора: с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ); для полевых транзисторов - с общим истоком (ОИ) и с общим затвором (ОЗ). Усилители с общим эмиттером (истоком) в диапазонах метровых и более длинных волн позволяют получить наибольшее усиление мощности. Усилители с общей базой (затвором) отличаются большей устойчивостью, поэтому используются в более высокочастотном диапазоне. Принципы построения и анализ резонансных усилителей идентичны для различных типов усилительных приборов и вариантов их включения. Рассмотрим некоторые схемы.
Рисунок 2.3 - Схема апериодического резонансного усилителя преселекторов на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ
На рисунке 2.3 представлена схема апериодического резистивного усилителя преселекторов на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ, который может использоваться в диапазонах ДВ и СВ. С повышением частоты увеличивается влияние проводимостей транзистора. Для уменьшения их влияния значение Rк выбирают по возможности минимальным, вплоть до Rк=100…300 Ом. Возможно, включение последовательно с Rк корректирующего дросселя Lдр. Рабочая точка транзистора определяется резисторами базового делителя Rб1, Rб2 и Rэ. Сопротивление Rэ также осуществляет термостабилизацию УП (ООС по постоянному току). Емкость Cэ устраняет отрицательную обратную связь по переменной составляющей. Цепочка RфCф образует фильтр по цепи питания. Емкости Ср являются разделительными.
Рисунок 2.4 - Схема резонансного усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ
Селективным элементом усилителя является одиночный контур, состоящий из катушки индуктивности Lк и емкости Cк. Особенностью резонансных усилителей на биполярных транзисторах является частичное включение контура как ко входу, так и к выходу активного элемента, что обусловлено большими значениями входных и выходных проводимостей транзисторов. Выбор коэффициентов включения m и n производится из соображений получения заданного коэффициента усиления, устойчивости, селективности, неравномерности зависимости коэффициента усиления в заданной полосе и в общем случае является компромиссным. Перейти на страницу: 1 2
Советуем почитать:
Проект системы радиодоступа в п. Омчак Магаданской области Традиционные проводные сети составляют основу телекоммуникационной инфраструктуры и еще долго сохранят значимость. Однако их развитие происходит медленно и не всегда успевает за спросом. ...
Расчет телекоммуникационной сети ГТС малой емкости Актуальность проблемы в настоящее время развития телекоммуникаций происходит в направлении создания рынка телекоммуникационных услуг, внедрения новых телекоммуникационных технологий, их ...
Синтез и построение системы управления динамическими объектами Информация об объекте управления может быть получена путем измерения соответствующих параметров. Однако не все параметры могут быть непосредственно измерены из-за отсутствия необходимых ...