! Re1 Ом ! 52.0! 50.7! 49.0! 47.2! 46.3!
! Q1 ! -276752! -274973! -272552! -269865! -268376!
!------------------------------------------------------------!
! Fp Гц ! 12999988! 12999995! 13000004! 13000013! 13000018!
! Ryp Ом ! 28.1! 27.3! 26.3! 25.2! 24.7!
! Aрг град ! 0.0 ! -0.0 ! -0.0 ! 0.0 ! 0.0 !
!======================================================
! Kнл1= 7.2% Df1= 30 Гц S1= 1.2 Гц/B D1= 0.00% !
! Kнл2= 0.0% Df2= 0 Гц S2= 0.0 Гц/B D2= 0.00% !
! Kнлp= 7.2% Dfp= 30 Гц Sp= 1.2 Гц/B Dp= 0.00% !
!======================================================
! N12 ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 !
! N1R ! 1.00000 ! 1.00000 ! 1.00000 ! 1.00000 ! 1.00000 !
! N2R ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 ! 0.00000 !
======================================================
Соображения по подбору номиналов с учетом таблицы 5.
) C01 - статическая емкость КР. На частоте 13 МГц (данной по ТЗ) может быть реализована в пределах от 5 до 16 пФ. Выбираем по меньше, так как уменьшает добротность КР. С учетом влияния на управляющее напряжение Ry.
) Lk1 - динамическая индуктивность КР. Желательно эту индуктивность брать как можно больше, но так как добротность при частоте 13 МГц не может быть больше 300 000, выбираем ее соответствующей.
) Rk1 - динамическое сопротивление КР. На данной частоте изменяется в пределах от 2 до 40 Ом. Учитываем его при подборе добротности и управляющего напряжения.
) Емкость варикапа СВ изменяется в пределах от 13,79 до 28,46 пФ.
) Управляющее напряжение изменяется в пределах от 24,7 до 28,1.
) Частота перестройки Df = 30 Гц, что значит частота генерации изменяется в пределах от 12999988 до 13000018.
) С учетом отстройки частоты КГ выбираем частоту КР меньшей 2500 Гц.
) Фазирующие емкости С3 и С4 выбираем по меньше, что бы уменьшить Ry.
После проведенного подбора имеем:
Кварцевый резонатор
C01=8 пФ
Lk1=0,4 мГн
Rk1=10 Ом
f01=12997500 Гц
Qmax=276752
Будем использовать КР с АТ срезом в герметическом корпусе. Возбуждается первая гармоника.
Фазирующие емкости
С3=150 пФ
С4=90 пФ
Корректирующие элементы
Скор=1,75…1,87 пФ
Расчет принципиальной схемы ОКГ
После проведенного расчета эквивалентной схемы КГ осталось задать рабочий режим транзистору (расчет по постоянному току) и расставить разделительные и блокирование емкости. Получаем готовый ОКГ, принципиальная схема показана на рисунке 22.
Рис. 22. Принципиальная схема опорного кварцевого генератора.
Технические характеристики ОКГ:
Напряжение питания, В……………………………………………….6-10
Мощность, потребляемая от источника, мВт……………………… 5-20
Нестабильность частоты при изменении напряжения питания на ±15%, не более……………………………………………………………………±5×10-7
Дополнительная нестабильность частоты, обусловлена изменением параметров элементов схемы при изменении температуры от -50 до 700С, не более……………………………… …………………………………… .±1,5×10-6
Выходное напряжение, мВ………………………………………………………………………… 150-500
Выводы
При написании данного курсового проекта познакомился со структурой стандарта GSM-1800. А именно с организацией покрытия, структурой современной мобильной станции, способом модуляции и организации приема и передачи информации.
В рамках технического задания обрел навыки выбора, создания и эскизного расчета структурных схем РПУ и РПрУ мобильной станции. Изучил возможности применения и принцип работы современных микросхем ИС синтезаторов для создания РПУ.
Освоил технику расчета опорного кварцевого генератора с помощью программных средств ЭВМ. Обрел навыки подбора кварцевых резонаторов с учетом пределов реализации его параметров, а также выбор транзистора с требуемыми параметрами. Освоил метод выбора принципиальной схемы ОКГ и ее расчет по постоянному и переменному току. Перейти на страницу: 1 2
Советуем почитать:
Импульсный лабораторный источник питания Для проведения лабораторных работ, исследований и испытаний приборов необходим источник питания. Требования к источникам вторичного питания, предъявляются очень высокие. Особенно к таким ...
Структура и использование микроконтроллеров Область применения микроконтроллеров - это различные контроллеры устройств автоматики, пластиковые карты, контроллеры периферийных устройств. Развитие микроэлектроники и её широкое пр ...
Определение надежности устройства РЭА Полупроводниковая электроника – прогрессирующая область науки и техники. Уже в первом десятилетии с момента изобретение транзисторов полупроводниковые приборы нашли широкое применение в ...