Значение суммарной интенсивности отказов элементов определяется по следующей формуле:
(1)
где λi0 – среднегрупповое значение интенсивности отказов элементов j-й группы, (приложение П 2.1,);
nj – количество элементов в j-й группе.
(10-6/ч)
Суммарная интенсивность отказов элементов РЭУ с учетом электрического режима и условий эксплуатации определяется как:
(2)
где Кэ – обобщенный эксплуатационный коэффициент, выбираемый по таблицам в зависимости от вида РЭУ или условий эксплуатации. Для стационарных условий принимаем Кэ=2,5 (Таблица 5.5,)
(10-6/ч)
наработка на отказ:
(3)
(ч)
Вероятность безотказной работы за заданное время tз:
(4)
Среднее время безотказной работы устройства( средняя наработка до отказа): 
Гамма-процентная наработка до отказа Тγ определяется как решение уравнения:
(5)
где γ – доверительная вероятность, принимаем γ=85
В случае экспоненциального распределения времени до отказа:
(6)
(
ч)
Окончательный расчет показателей надежности
При окончательном расчете используем коэффициенты нагрузок KН, приведенные для различных элементов в таблице 2.2
Таблица 2.2 Коэффициенты нагрузок
| Активные элементы | 0,6 |
| Резисторы | 0,7 |
| Конденсаторы | 0,8 |
| Другие элементы | 0,8 |
Приведем в таблице 2.3 значения среднегрупповых интенсивностей отказов с учетом KЭ и KН
Таблица 2.3. Значения среднегрупповых интенсивностей отказов с учетом условий эксплуатации и нагрузки
| Наименование | Позиционное обозначение на Э3 | Количество, nj | λi0 ·10-6, 1/ч | λi0·10-6 nj·КЭ КН 1/ч |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| Конденсаторы алюминиевые электролитические | C1,C3,C4,С5, C6,C8,С9,С10, С13,C16,C17,C18, С19,С20,С22,C23, C24, С25, С28, С29,С30, С31 C2,C7,С11,C12 C14,С15,С21, С26,С27 | 31 | 0,55 | 34,1 |
| Резисторы постоянные непроволочные | R1,R2,R4,R5, R6,R8,R9,R11, R12R13,R14,R15, R16,R17,R18, R19,R20,R21,R23, R24,R26,R27,R28, R29,R30,R31,R32, R33,R34,R35,R36, R37,R39,R40,R41, R42,R43,R44,R45, R46,R47,R49,R50 | 44 | 0,05 | 3,850 |
| Резисторы переменные непроволочные | R3,R7,R10,R22, R25,R38,R48 | 7 | 0,5 | 6,125 |
| Диоды выпрямительные маломощные I ср.выпр<300 мА | VD6,VD7, | 2 | 0,2 | 0,6 |
| Диодный мост выпрямительный I ср.выпр<400 мА | VD2-VD5 | 1 | 0,4 | 0,6 |
| Стабилитроны маломощные | VD1,VD8,VD9 | 3 | 0,9 | 4,05 |
| Предохранители | FU1,FU2 | 2 | 5 | 20 |
| Транзисторы кремниевые малой мощности | VT1,VT3-T5,VT6, VT8-VT10 | 8 | 0,4 | 4,8 |
| Транзисторы кремниевые большой мощности | VT13, VT14 | 2 | 0,5 | 1,5 |
| Транзисторы кремниевые средней мощности | VT7,VT11,VT12 | 3 | 0,35 | 1,575 |
| Транзисторы германиевые малой мощности | VT2 | 1 | 0,45 | 0,675 |
| Трансформатор питания | Т1 | 1 | 0,90 | 1,8 |
| Σ | 105 | 82,038 |
Ультразвуковые сканеры Ультразвуковые аппараты для интроскопии в литературе встречаются под разными названиями: эхоскопы, эхотомоскопы, УЗ сканеры. Первое и второе названия подчеркивают их физическую сущность ...
Структура и использование микроконтроллеров Область применения микроконтроллеров - это различные контроллеры устройств автоматики, пластиковые карты, контроллеры периферийных устройств. Развитие микроэлектроники и её широкое пр ...
Разработка микропроцессорной системы Автомобильные часы-термометр-вольтметр на базе микроконтроллера Современную микроэлектронику трудно представить без такой важной составляющей, как микроконтроллеры. Микроконтроллеры незаметно завоевали весь мир. Микроконтроллерные технологии очень эф ...