Так как ЭСППЗУ является энергонезависимым, то в основе механизма запоминания и хранения информации лежат процессы накопления заряда при записи, сохранения его при считывании и при выключении электропитания в специальных МОП-транзисторах.
ЭСППЗУ строятся на МОП-транзисторах, у которых между затвором и полупроводником располагается двухслойный диэлектрик, выполненный из нитрида кремния и тонкого слоя двуокиси кремния (так называемая МНОП-структура).
Принцип записи в такой элемент основан на том, что при подаче на затвор МНОП транзистора положительного напряжения, превышающего критическое значение (около 30 В), на границе кремния – нитрид кремния формируется заряд, снижающий пороговое напряжение включения МНОП транзистора. При подаче отрицательного напряжения такого же значения происходит обратный процесс и восстанавливается высокое пороговое напряжение транзистора. Одно из состояний транзистора может быть принято за логическую единицу, а другое состояние – за логический нуль. В режиме считывания на затвор МНОП транзистора подается напряжение, больше порогового напряжения включения транзистора с "низким" порогом, но меньшее порогового напряжения транзистора с "высоким" порогом. Перейти на страницу: 1 2
Советуем почитать:
Проектирование системы передачи цифровых данных В настоящее время очень развиты различные системы передачи данных, разработаны основные стандарты, на основе которых строятся реальные системы. В настоящей работе была осуществлена попыт ...
Технология изготовления ваттметра Производственный процесс представляет совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонта РЭА. Технологический проц ...
Проектирование управляемого привода в электромеханических системах Управляемый электропривод получил широкое применение во всех сферах жизни и деятельности общества от промышленного производства до бытовой техники. Широта применения определяет исключит ...