КМОП обозначает получившую широкое распространение технологию изготовления ИС. Особенностью ИС КМОП является использование
в качестве базовой схемы комплементарного ключа (рис.1), состоящего из ключевого транзистора Tn и нагрузочного – Tp. Ключевой транзистор c индуцированным каналом Tn имеет канал n-типа (отпирание транзистора Tn происходит при 
>
, 
- порог отпирания n-канального транзистора), а нагрузочный транзистор с индуцированным каналом Tp – канал p-типа (отпирание нагрузочного транзистора Tp происходит при 
<, 
- порог отпирания p-канального транзистора).
Управляющее напряжение 
воздействует одновременно на ключевой и нагрузочный транзисторы, вид вольт-амперной характеристики нагрузки под воздействием меняется, поэтому комплементарный ключ рис.1 является ключом с нелинейной активной нагрузкой.
Когда напряжение мало, 
<
- ключевой транзистор Tn закрыт (через него протекает только весьма малый ток утечки), но нагрузочный транзистор Tp при этом открыт, его напряжение затвор-исток более отрицательное, чем , так как
<.
В режиме замкнутого ключа (максимальной проводимости канала) МОП-транзистор представляет собой некоторое сопротивление Rт между истоком и стоком (сопротивление канала), зависящее от напряжения на затворе. Величина этого сопротивления аналитически выражается формулой
, ( 1 )
где 
- параметр МОП-транзистора (удельная крутизна), 
- соответственно напряжение на затворе и пороговое напряжение. При максимальных значениях 
в зависимости от типа транзистора это сопротивление составляет Rт 
200 Ом . 500 Ом для n-канальных транзисторов, для p-канальных – оно примерно в 3 раза больше.
При < статическому состоянию ключа рис.1
соответствует простейшая схема замещения рис.3,а, в которой запертый транзистор Tn представлен разрывом всех его выводов, а открытый транзистор Tp - эквивалентным резистором Rт2 между стоком и истоком. В таком статическом состоянии 
.
При больших значениях напряжения в схеме рис.1, когда 
>
, ключевой транзистор Tn открыт, а нагрузочный Tp – закрыт, так как
>.
Такому статическому состоянию ключа рис.1 соответствует простейшая схема замещения рис.3,б, в которой запертый транзистор Tp представлен разрывом всех его выводов, а открытый транзистор Tn - эквивалентным резистором Rт1 между стоком и истоком. В таком статическом состоянии 
. Перейти на страницу: 1 2 3
Разработка делителя мощности на микрополосковой линии В настоящее время область применения радиоэлектронных средств расширяется, комплексы радиосистем становятся все более сложными, это полностью относится и к радиотехнике СВЧ диапазона. В ...
Применение метода вейвлет-кодирования для сжатия и реконструкции физиологической информации, передаваемой по каналу радиотелеметрии Современная медицина неразрывно связана с применением различных диагностических и терапевтических приборов и тенденция к дальнейшему внедрению технических средств в медико-биологическую прак ...
Измерительная техника и радиотехнические комплексы Производственная практика является важным этапом подготовки квалифицированных специалистов. Она является видом учебно-вспомогательного процесса, в ходе которого закрепляется теоретически ...