Основные электрические пареметры элементов разработанной ИМС приведены в таблице 4.2.
Таблица 4.2 - Электрические параметры элементов
| Элементы | Параметры | Нижний предел | Типовое | Верхний предел |
| NPN транзистор Sэм= 9´9 мкм2 | Коэффициент усиления Iк=10мкA | 100 | 150 | 200 |
| Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA | 20 В | – | 30 | |
| Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA | 6,2* В | 6.5* В | 6.8*В | |
| Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA | 0,7 В | 0.75 В | 0.8 В | |
| Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA | 40 В | – | 60 | |
| Напряжение пробоя К-П I=10 мкA | 30 В | – | – | |
| PNP транзистор латеральный | Коэффициент усиления Iк=100мкA Uкэ=5В | 30 | – | – |
| Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA | 40 В* | – | – | |
| Резисторы на базовом слое | Поверхностное сопротивление | 180Ом/кв | 200 Ом/кв | 220 Ом/кв |
| Резисторы на резисторном слое | Поверхностное сопротивление | 700* Ом/кв | 1000* Ом/кв | 1300* Ом/кв |
Прием, обработка, выдача Экспресс и ЕМS почтовых отправлений Не секрет, что в наш скоростной век, экономия времени является главной задачей, особенно для делового человека. Что бы облегчить участь бизнесменов многие компании, предоставляющие услуг ...
Проектирование цифрового регулятора для электропривода с фазовой синхронизацией Разработка новых эффективных технологических процессов, различных машин и приборов непосредственно связана с повышением требований к лежащим в их основе электроприводам по точности, быст ...
Проект компьютерной сети для коммерческого предприятия НордСофт Вхождение России в мировое информационное пространство влечет за собой широчайшее использование новейших информационных технологий, и в первую очередь, компьютерных сетей. При этом резк ...