Разработку топологии проектируемой ИМС проведем с помощью программы проектирования топологии ПАРОМ. В качестве исходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМС TDA16846 и проектные нормы на разработку топологии.
На первом этапе проектирования на исходном кристалле TDA16846 произведем замеры геометрических размеров всех областей образующих те или иные элементы. Используя полученные сведения о размерах и конфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотека представляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержит топологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются из соответствующих файлов библиотеки.
Приведем разработаннкю библиотеку элементов. На примере n-p-n транзистора (рисунок 5.1) покажем обозначение слоев всех транзисторов данного типа имеющихся в библиотеке (на специфичных элементах внесены соответствующие дополнения). Также на примере этого трранзистора покажем обозначение размеров элементов.
К - коллектор;
Б – база;
Э – эмиттер.
Рисунок 5.1 – Обозначение слоев и размеров у n-p-n транзисторов библиотеки
В разработанную библиотеку не включены во первых конденсаторы так как их количество мало, все они имеют различную емкость а следовательно различную конфигурацию. Во вторых не включены резисторы, так как конфигурация каждого из них индивидуальна. Необходимо также отметить что конфигурация конденсаторов и резисторов неизбежно не однозначна и меняется в процессе разработки топологии.
Итак, разработана библиотека элементов, теперь используя разработанную библиотеку приступим к следующему этапу – компоновке элементов и блоков.
Советуем почитать:
Проектирование системы передачи цифровых данных В настоящее время очень развиты различные системы передачи данных, разработаны основные стандарты, на основе которых строятся реальные системы. В настоящей работе была осуществлена попыт ...
Кривые линии и поверхности, их применение в радиоэлектронике и автоматике Кривые линии и поверхности их применение в радиоэлектронике и автоматике. Этот раздел курса имеет особое значение для графической подготовки инженера. Внешняя и внутренняя форма дета ...
Измеритель напряжённости и градиента магнитного поля Написание дипломного проекта и последующая его защита является заключительной стадией обучения в средних специальных учебных заведениях. Дипломный проект является обобщающей проверкой вс ...