Расчёт тонкоплёночных резисторов
Найдём оптимальное значение сопротивления квадрата резистивной пленки
Расчёт резистора R1:
Номинальное сопротивление резистора 
; пределы допустимого в условиях эксплуатации изменения сопротивления резистора относительно номинала при фотолитографическом методе изготовления 
; рассеиваемая мощность 
, максимальная положительная температура по ТЗ 
, время наработки на резистора 
.
Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки 
, удельную мощность рассеяния 
, температурный коэффициент сопротивления (ТКС) 
.
Коэффициент формы 
. Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы 
. Получившийся коэффициент формы очень мал, поэтому получается нецелесообразно использовать резисторы в тонкоплёночном исполнении. Аналогичные результаты были получены для резисторов R2, R3, R4, R9, R10. Данные резисторы заменим навесными SMD чипами в корпусе 0603.
Расчёт резистора R5:
Номинальное сопротивление резистора 
; пределы допустимого в условиях эксплуатации изменения сопротивления резистора относительно номинала при фотолитографическом методе изготовления ; рассеиваемая мощность 
, максимальная положительная температура по ТЗ 
, время наработки на резистора .
Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки , удельную мощность рассеяния , температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .
Коэффициент формы 
. Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы . В случае селективного травления проводящего и резистивного слоёв, контактные площадки выполняются без припуска на совмещение слоёв (Л1, Рис.2.1.а).
Относительная погрешность сопротивления за счёт влияния температуры эксплуатации 
. Так как МСБ перегревается также за счёт «внутренних» тепловыделений увеличим 
в 1,1 раза, получим 
. Относительная погрешность сопротивления за счёт старения 
. Относительная погрешность сопротивления за счёт переходного сопротивления между резистивным слоем и контактной площадкой принимается равной 
. Относительная погрешность обеспечения величины 
: 
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5
Проект компьютерной сети для коммерческого предприятия НордСофт Вхождение России в мировое информационное пространство влечет за собой широчайшее использование новейших информационных технологий, и в первую очередь, компьютерных сетей. При этом резк ...
Измерение плотности потока энергии СВЧ излучения Целью работы является: ознакомление с методами и средствами измерения плотности потока энергии СВЧ излучения, установление соответствия исследуемой микроволновой печи всем требованиям пр ...
Микропроцессорная система на базе комплекта КР580 В данном курсовом проекте рассмотрен микропроцессорный комплект серии КР580. Этот набор микросхем, аналогичен набору микросхем Intel 82xx. Представляет собой 8-разрядный комплект на осн ...