Расчёт тонкоплёночных резисторов
Найдём оптимальное значение сопротивления квадрата резистивной пленки
Расчёт резистора R1:
Номинальное сопротивление резистора ; пределы допустимого в условиях эксплуатации изменения сопротивления резистора относительно номинала при фотолитографическом методе изготовления
; рассеиваемая мощность
, максимальная положительная температура по ТЗ
, время наработки на резистора
.
Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки , удельную мощность рассеяния
, температурный коэффициент сопротивления (ТКС)
.
Коэффициент формы . Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы
. Получившийся коэффициент формы очень мал, поэтому получается нецелесообразно использовать резисторы в тонкоплёночном исполнении. Аналогичные результаты были получены для резисторов R2, R3, R4, R9, R10. Данные резисторы заменим навесными SMD чипами в корпусе 0603.
Расчёт резистора R5:
Номинальное сопротивление резистора ; пределы допустимого в условиях эксплуатации изменения сопротивления резистора относительно номинала при фотолитографическом методе изготовления
; рассеиваемая мощность
, максимальная положительная температура по ТЗ
, время наработки на резистора
.
Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки , удельную мощность рассеяния
, температурный коэффициент сопротивления (ТКС)
.
Коэффициент формы . Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы
. В случае селективного травления проводящего и резистивного слоёв, контактные площадки выполняются без припуска на совмещение слоёв (Л1, Рис.2.1.а).
Относительная погрешность сопротивления за счёт влияния температуры эксплуатации . Так как МСБ перегревается также за счёт «внутренних» тепловыделений увеличим
в 1,1 раза, получим
. Относительная погрешность сопротивления за счёт старения
. Относительная погрешность сопротивления за счёт переходного сопротивления между резистивным слоем и контактной площадкой принимается равной
. Относительная погрешность обеспечения величины
:
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5
Проект компьютерной сети для коммерческого предприятия НордСофт Вхождение России в мировое информационное пространство влечет за собой широчайшее использование новейших информационных технологий, и в первую очередь, компьютерных сетей. При этом резк ...
Измерение плотности потока энергии СВЧ излучения Целью работы является: ознакомление с методами и средствами измерения плотности потока энергии СВЧ излучения, установление соответствия исследуемой микроволновой печи всем требованиям пр ...
Микропроцессорная система на базе комплекта КР580 В данном курсовом проекте рассмотрен микропроцессорный комплект серии КР580. Этот набор микросхем, аналогичен набору микросхем Intel 82xx. Представляет собой 8-разрядный комплект на осн ...