Исходными данными для проектирования и расчетов являются:
Вт. |
Прямое затухание ферритового вентиля, лежащее в пределах (0.5 . 0.8) дБ, т.е. = (1.12 . 1.2)
КПД антенно-фидерного тракта ф = (0.85 . 0.95)
Коэффициент отражения нагрузки = (0.1 . 0.4)
Коэффициент производственного запаса Kпз = (1.2 . 1.4)
К достоинствам импульсного модулятора с полным разрядом накопителя относятся:
высокий КПД как зарядной так и разрядной цепи накопителя;
отсутствие жёстких требований к форме пусковых импульсов, формируемых подмодулятором.
К недостаткам модулятора относятся:
отсутствие возможности управления длительностью импульсов;
отличие формы пусковых импульсов от прямоугольной;
относительная сложность схемы.
Обычно передатчики строятся по комбинированной схеме модулятора (т.е в модуляторе могут использоваться как магнитные так и электровакуумные приборы). Примером такого передатчика может быть передатчик с тиристорномагнитным модулятором, использующийся в бортовой радиолокационной станции.
Определяем мощность на выходе передатчика.
Зададимся следующими величинами:
Определим мощность на выходе передатчика:
По величине Рвых и , Гц выбираем тип электронного прибора ГСВЧ на магнетроне.
Из таблицы 1 выбираем магнетрон типа 2J21.
Таблица 1.
Магнетрон 2J21 удовлетворяет заданным требованиям в части: t -длительность импульса и F -частота повторения импульсов
Выпишем параметры магнетрона:
- частота, Гц 24000
- мощность в импульсе, кВт 60
- КПД,% 26
- Uomax, кВ 15
- Io, А 15
Так как импульсная мощность не превышает 200 .250 кВт, то модулятор строим по схеме с частичным разрядом накопителя.
Исходя из значений Еа -напряжение на аноде модуляторной лампы во время паузы и Ia - ток через лампу во время импульса - выбираем модуляторную лампу.
Таблица 2 |
Напряжение на аноде модуляторной лампы во время паузы:
Для таких значений тока и напряжения из таблицы 2 выбираем модуляторную лампу - тетрод ГМИ-2Б.
Перейти на страницу: 1 2
Советуем почитать:
Разработка технологического процесса сборки усилителя мощности звуковой частоты Производственный процесс представляет совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонта РЭА. Технологический проц ...
Определение надежности устройства РЭА Полупроводниковая электроника – прогрессирующая область науки и техники. Уже в первом десятилетии с момента изобретение транзисторов полупроводниковые приборы нашли широкое применение в ...
Разработка математической модели электронного устройства Развитие вычислительной техники и повышение требований к разрабатываемой электронной аппаратуре выдвинули на первый план создание систем автоматизированного проектирования. До начала ше ...