Уменьшение оптической эффективности требует использования фоторезистов с существенно более высокой чувствительностью или компенсации низкой интенсивности освещения длительной экспозицией. Системы, основанные на SLM, теоретически должны обеспечивать более высокое пространственное разрешение, чем растровые. К сожалению, в реальных условиях высокого разрешения довольно трудно достичь. Дело в том, что типовая оптическая система, необходимая для SLM-систем, имеет сравнительно небольшую глубину резкости - примерно ±40 мкм. Это означает, что любое вертикальное отклонение заготовки платы из-за изгиба или локальных ударов может нарушить фокусировку изображения и, таким образом, привести к снижению разрешающей способности оборудования (рис. 2).
Рис. 2
. Малые изменения вертикального положения производят небольшой эффект на системы с большой глубиной резкости, но могут стать причиной существенного снижения разрешения в системах с малой глубиной резкости
Для сравнения: оптика, используемая в растровом сканировании, имеет гораздо большую глубину резкости, которая обычно достигает ±300 мкм. Это с избытком перекрывает диапазон деформации плоскости практически любой заготовки.
Несмотря на эти проблемы, технология SLM довольно широко используется благодаря высокой производительности. С высокой долей уверенности можно утверждать, что, как только первая установка, основанная на SLM-отображении, была разработана, довольно легко можно было объединить несколько устройств вместе, чтобы оптимизировать работу установки для практического использования под конкретное производство, будь то быстрая производительность или высокое разрешение. Это бы привело к возможности производить широкую номенклатуру изделий, работая в многочисленных сегментах рынка с минимальными затратами на проектирование. Тем не менее, поскольку LDI-аппаратура на базе SLM в настоящее время составляет лишь небольшую часть рынка, остальная часть статьи ограничена описанием аппаратуры растрового формирования изображения.
Практические аспекты использования LDI
В сравнении с традиционной контактной печатью в производстве печатных плат LDI имеет как преимущества, так и недостатки. В результате важно понять все характеристики LDI, чтобы определить, является ли это правильным решением в специфических условиях какого-либо производства. Самые очевидные преимущества LDI - сэкономленное время и отсутствие расходов на создание, использование, обработку и хранение фотошаблонов. Кроме того, LDI избавлено от любых проблем, связанных с фотопленкой, ее хранением и дефектами. Методика LDI обеспечивает уникальную четкость и позволяет увеличить процент выхода годных изделий. LDI также обеспечивает более точное совмещение, чем методы контактной печати, и благодаря этому позволяет производить большую номенклатуру плат самой разнообразной сложности и классов точности.
При контактной печати искажения связаны с изменением размеров фотошаблонов или заготовки платы. Эти изменения происходят потому, что материалы, используемые для маски и платы (такие как FR4 и Тефлон), изменяют свои линейные размеры из-за влажности и температуры (которые поддерживаются в типичной для производства среде в пределах ±2 °C и ±5% относительной влажности). Кроме того, изменения, как в пленочной основе фотошаблонов, так и в основаниях ПП, обычно носят анизотропный характер. В результате для компенсации ошибки невозможно применить какой-либо один коэффициент масштабирования к топологическому чертежу. Перейти на страницу: 1 2 3 4 5
Советуем почитать:
Кривые линии и поверхности, их применение в радиоэлектронике и автоматике Кривые линии и поверхности их применение в радиоэлектронике и автоматике. Этот раздел курса имеет особое значение для графической подготовки инженера. Внешняя и внутренняя форма дета ...
Разработка конструкции и технологии изготовления измерителя емкости В повседневной работе радиолюбителей часто приходиться определять данные радиоэлементов. Если измерить сопротивление резистора не составляет особого труда – можно воспользоваться обычны ...
Изучение характеристик ключевых схем на дополняющих МОП-транзисторах (КМОП) Изучить характеристики ключевых схем на дополняющих МОП-транзисторах (КМОП) и базовых схем логических элементов КМОП, используя возможности программы MC8DEMO. Изучить содержание процессо ...