EE92 2020 492 bra bcd1m
493 bcd100m:
EE94 AE64 494 ldx #!100 ;100-делитель
EE96 52 495 div
EE97 B784 496 sta BCD100 ;Результат в BCD100
EE99 35A4 497 sthx pmem1
EE9B 450000 498 ldhx #!0
тонометр.asm Assembled with CASM08Z 25.02.03 9:58:45 PAGE 12
EE9E B6A4 499 lda pmem1 ;Остаток в
аккумулятор
EEA0 2003 500 bra mb1
501 bcd10m:
EEA2 6E0A84 502 mov #$a,BCD100 ;Пробел в BCD100
503 mb1:
EEA5 AE0A 504 ldx #!10 ;10-делитель
EEA7 52 505 div ;Делим остаток на 10
EEA8 B785 506 sta BCD10 ;Результат в BCD10
EEAA 35A4 507 sthx pmem1
EEAC 450000 508 ldhx #!0
EEAF 4EA486 509 mov pmem1 BCD1
EEB2 200C 510 bra exitb
511 bcd1m:
EEB4 6E0A84 512 mov #$a,BCD100 ;Пробел в BCD100
EEB7 6E0A85 513 mov #$a,BCD10 ;Про BCD10
EEBA 4E8F86 514 mov y,BCD1
515
516
EEBD 88 517 pulx
EEBE 8A 518 pulh
EEBF 86 519 pula
EEC0 81 520 exitb: rts
521
522
523
524
525
526 ;\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
527
528
529
530 IND_RET: ;Подпрограмма для вывода числа на индикацию
531 ;для подпрограммы необходимо:
532 ;- число или символ для индикации
533 ;(BCD100,BCD
10,BCD1)
534 ;- адрес ячейки в индикаторе
EEC1 87 535 psha
EEC2 8B 536 pshh
EEC3 89 537 pshx
538
EEC4 6E0388 539 mov #$3,ci
EEC7 6E8087 540 mov #$80,indx ;заместо ind поставить адрес!!!!!!!!!!!!!!!!!
EECA 6E84A3 541 mov #$84,bcdx ;адрес bcd100 в bcdx
тонометр.asm Assembled with CASM08Z 25.02.03 9:58:45 PAGE 13
EECD BE84 542 ldx BCD100
543 stind:
EECF D6EFAE 544 lda TCI,x ;TCI-началотаблицы перекодировки
EED2 3CA3 545 inc BCDX
EED4 BE87 546 ldx indx
EED6 F7 547 sta ,x ;Результат перекодировки в ячейку памяти с регистре Х
EED7 3C87 548 inc indx ;передвегаемся по ячейкам IND
EED9 1501 549 bclr 2,PTB ;уст. в 0
PTB2
EEDB 1701 550 bclr 3,PTB
EEDD 4E8303 551 mov adres,PTD ;Адрес
знакоместа в порт PTD
EEE0 1801 552 bset 4,PTB
EEE2 9D 553 nop
EEE3 9D 554 nop
EEE4 9D 555 nop ;Формирование стробирующего импульса
EEE5 9D 556 nop
EEE6 9D 557 nop
EEE7 1901 558 bclr 4,PTB
EEE9 AD1D 559 bsr deleysret ;задержка 30mkc
EEEB 1401 560 bset 2,PTB
EEED 1701 561 bclr 3,PTB
EEEF 7E03 562 mov x+,PTD ;Вывод числа на индикацию
EEF1 1801 563 bset 4,PTB
EEF3 9D 564 nop
EEF4 9D 565 nop ;Формирование стробирующего импульса
EEF5 9D 566 nop
EEF6 9D 567 nop
EEF7 9D 568 nop
EEF8 1901 569 bclr 4,PTB
EEFA AD0C 570 bsr deleysret ;задержка 30mkc
EEFC 3C83 571 inc adres ;Подготовка
к следующему циклу
EEFE BEA3 572 ldx BCDX ;----
EF00 FE 573 ldx ,x ;--------
EF01 3B88CB 574 dbnz ci,stind ;Если все числа выведены то выходим из подрограммы
575
EF04 88 576 pulx
EF05 8A 577 pulh
EF06 86 578 pula
EF07 81 579 rts
580
581 ;\\\\\\ Подпрограмма задержки на 30 мкС\\\\\\\\\\\
582
583 deleysret: Перейти на страницу: 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Советуем почитать:
Разработка технологического процесса сборки измерителя H21э транзисторов При современном конструировании радиоэлектронных аппаратов необходимо в первую очередь учитывать конструктивно-технологические особенности РЭА, включают функционально-узловой принцип ко ...
Разработка технологического процесса сборки усилителя мощности звуковой частоты Производственный процесс представляет совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонта РЭА. Технологический проц ...
Проектирование трансформатора общего назначения За, последние годы широкое применение получила радиоэлектронная техника, характер и функции которой требуют применения десятков и сотен тысяч различных комплектующих изделий, среди котор ...