В результате подтравливания диэлектрика площадь контакта на внутренних слоях увеличивается, что и гарантирует более надежное соединение слоев.
Однако на операции гальванической металлизации стремятся использовать электролиты с повышенной рассеивающей способностью. Для металлизации МПП в последнее время разработан электролит следующего состава:
CuSO
5H
O - 200г/л; HSO - 100г/л; (NH)SO- 40г/л;
(NH)CHO
- 20г/л.
Электролит приведенного состава позволяет получать осадок хорошего качества при плотности тока до 3А/дм
и t= 18 - 22°С. При температуре 40 - 50°С допустимая плотность тока до 5А/дм2 .
После осаждения меди схему защищают слоем гальванического серебра или ПОС-61. Затем удаляют защитный слой фоторезиста и производят операцию травления наружных слоев МПП.
Изготовленные платы проходят операцию механической обработки по контуру и маркировку. Перейти на страницу: 1 2
Советуем почитать:
Принципы построения систем спутниковой связи Сегодня растут потребности в телекоммуникациях. Наземные радиорелейные линии не могут в полной мере удовлетворить обмен радиовещательных и телевизионных программ, особенно если они ...
Узлы формирования и обработки первичных сигналов Современные УЗ сканеры являются сложными многофункциональными устройствами. Они позволяют выполнять исследования в реальном масштабе времени в режиме М и режиме В, а так ...
Микроконтроллеры для начинающих. И не только Микроконтро́ллер (англ. Micro Controller Unit, MCU) – микросхема, предназначенная для управления электронными устройствами. Типичный микроконтроллер сочетает в себе функции пр ...